3DG11 型晶體管
發(fā)布時間：2009/9/15 9:53:56 修改時間：2009/9/15 9:53:56 瀏覽次數(shù)：1293

3DG11 型晶體管

結構名稱：NPN硅外延平面高頻小功率晶體管。
等級標記：Ⅱ類
主要用途：接收機及無線電設備高頻放大和振蕩。
外形圖：B-2A型、B-2型

3DG11 參數(shù)

序號	參數(shù)	單位	測試條件	規(guī)　范　值
序號	參數(shù)	單位	測試條件	3DG11B	3DG11D	3DG11F
1	Ptot	mW		100	100	100
2	ICM	mA		10	10	10
3	TjM	℃	IC=100μA	175	175	175
4	ICBO	μA	VCB=10V	≤0.1	≤0.1	≤0.1
5	ICEO	μA	VCE=6V	≤0.1	≤0.1	≤0.1
6	IEBO	μA	VEB=1.5V	≤0.1	≤0.1	≤0.1
7	V(BR)CBO	V	ICB=50μA	≥25	≥25	≥25
8	V(BR)CEO	V	ICE=50μA	≥15	≥15	≥15
9	V(BR)EBO	V	IEB=50μA	≥4	≥4	≥4
10	VBE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA	≤1	≤1	≤1
11	VCE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA	≤0.35	≤0.35	≤0.35
12	hFE		VCE=6V，IC=2mA	40~270	40~270	40~270
13	fT	MHz	f=100MHz，VCE=6V，IC=2mA	≥300	≥500	≥700

允許測試誤差±10%

NPN型金屬封裝硅高頻小功率晶體管hFE分檔表

hFE	40~55	55~80	80~120	120~180	180~270
色標	黃	綠	藍	紫	灰

3DG11晶體管B-2型封狀尺寸圖

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