在此之前,功率模塊的全球市場(chǎng)規(guī)模一直以10%的年增長(zhǎng)率穩(wěn)步擴(kuò)大,隨著與環(huán)境問(wèn)題密切相關(guān)的節(jié)能意識(shí)的加強(qiáng),今后增長(zhǎng)率有望進(jìn)一步提高。在節(jié)能家電產(chǎn)品尚未普及的地區(qū),發(fā)展將尤為迅速。
目前功率半導(dǎo)體的主流是使用硅材料的IGBT(絕緣柵雙極晶體管模塊)元件,IGBT元件的性能從198 5年開(kāi)始逐漸得到改善,目前已經(jīng)進(jìn)入了第5代。1~2年后問(wèn)世的第6代預(yù)計(jì)將成為硅元件的頂峰,其后將有待于耐壓能力為硅元件10倍、熱傳導(dǎo)率為硅元件3倍的SiC元件。但是在目前,用于替代硅IGBT元件的SiC元件還沒(méi)有實(shí)用化的計(jì)劃。這是因?yàn)槟壳斑€沒(méi)有廠商能夠以低成本提供低缺陷密度的SiC
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